DTB123EKT146

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) PNP - 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 SMT3

物料参数

晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
包含电阻器:R1 和 R2
电阻器 - 基极 (R1):2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):2.2 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):39 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率 - 跃迁:200 MHz
功率 - 最大值:200 mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SMT3